- 专利标题: 单晶硅生长炉停冷却热场阶段部分热能回收利用装置
-
申请号: CN201710329433.5申请日: 2017-05-11
-
公开(公告)号: CN106998158B公开(公告)日: 2023-09-08
- 发明人: 马四海 , 张笑天 , 马青 , 朱光开 , 丁磊
- 申请人: 安徽易芯半导体有限公司
- 申请人地址: 安徽省合肥市新站区新蚌埠路3768号佳海工业城一期D84D85幢
- 专利权人: 安徽易芯半导体有限公司
- 当前专利权人: 安徽易芯半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市新站区新蚌埠路3768号佳海工业城一期D84D85幢
- 代理机构: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司
- 代理商 刘跃
- 主分类号: H02N11/00
- IPC分类号: H02N11/00 ; H02J7/32
摘要:
本发明公开了一种单晶硅生长炉停冷却热场阶段部分热能回收利用装置,其特征在于:包括有加热箱,所述加热箱中有传送带穿过,所述加热箱体内传送带的下面铺设有圆柱状的加热管,所述加热管从中间至两端的分布为有密到疏,所述加热管的进气口设置在中部,出气口分别设置在两端,且进气口和两个出气口均通过管道连接到集气箱,所述进气口处设有风机。本发明结构简单,操作方便,成本低,避免导线的烫伤,提高线束磁环外热缩管热缩的效率,而且加热管的分布合理,可避免使热缩管过快的加热收缩和过快的降温,保证了热缩管的收缩质量,而且通过加热箱体内保温层的可保证箱体内的温度,减慢散热箱体散热的速度。
公开/授权文献
- CN106998158A 单晶硅生长炉停冷却热场阶段部分热能回收利用装置 公开/授权日:2017-08-01