- 专利标题: 一种锰掺杂的钛镁酸铋-钛酸铅压电单晶及其制备方法
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申请号: CN201511026067.3申请日: 2015-12-30
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公开(公告)号: CN106929918B公开(公告)日: 2019-03-19
- 发明人: 田彦锋 , 许桂生 , 刘锦峰 , 朱秀
- 申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 申请人地址: 上海市长宁区定西路1295号
- 专利权人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人地址: 上海市长宁区定西路1295号
- 代理机构: 上海瀚桥专利代理事务所
- 代理商 曹芳玲; 郑优丽
- 主分类号: C30B29/32
- IPC分类号: C30B29/32 ; C30B9/12
摘要:
本发明涉及一种锰掺杂的钛镁酸铋‑钛酸铅压电单晶及其制备方法,所述锰掺杂的钛镁酸铋‑钛酸铅压电单晶具有ABO3型复合钙钛矿结构,其化学组成为(1‑x)Bi(Mg1/2Ti1/2)O3‑xPbTiO3+αMnO2;式中,0.14≤x≤0.42,x表示PbTiO3组分的摩尔比,锰离子作为掺杂离子取代B位,其掺杂浓度在0.1mol%≤α≤5mol%。本发明采用助溶剂方法,在化料前先进行预烧处理,与化料前不进行预烧处理相比,制备的单晶成分更为均匀,通过MnO2掺杂改性,降低了该体系的漏电流和介电损耗,使极化更为充分,提高了压电性能,高温应用潜力巨大。
公开/授权文献
- CN106929918A 一种锰掺杂的钛镁酸铋-钛酸铅压电单晶及其制备方法 公开/授权日:2017-07-07
IPC分类: