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发明授权
CN106876477B 一种图案化目标膜层、薄膜晶体管、阵列基板及制作方法 失效 - 权利终止

一种图案化目标膜层、薄膜晶体管、阵列基板及制作方法
摘要：
本申请实施例提供一种图案化目标膜层、薄膜晶体管、阵列基板及制作方法，以简化图案化目标膜层的制作工艺，降低图案化目标膜层的制作成本。所述制作方法包括：在衬底基板上形成图案化的光刻胶层，其中，所述光刻胶层的图案为与所述目标膜层的图案互补的图案；在所述光刻胶层上形成目标层薄膜；去除图案化的所述光刻胶层，并同时去除与所述光刻胶层的图案相对应区域的目标层薄膜，形成目标膜层的图案。
摘要（英）：

An embodiment of the invention provides a patterned target film layer, a thin film transistor, an array substrate and a manufacturing method so as to simplify production process of the patterned target film layer and reduce production cost of the patterned target film layer. The manufacturing method comprises the following steps: forming a patterned photoresist layer on a substrate, wherein the pattern of the photoresist layer is complementary to the pattern of the target film layer; forming the target film layer on the photoresist layer; and removing the patterned photoresist layer, and meanwhile, removing the target film layer in a region corresponding to the pattern of the photoresist layer to form the pattern of the target film layer.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/786 ......薄膜晶体管
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