发明授权
- 专利标题: 大厚度黑色钽酸锂晶片的制造方法
-
申请号: CN201710080781.3申请日: 2017-02-15
-
公开(公告)号: CN106868595B公开(公告)日: 2019-03-15
- 发明人: 张学锋 , 董学祥 , 梁斌
- 申请人: 宁夏钜晶源晶体科技有限公司
- 申请人地址: 宁夏回族自治区石嘴山市大武口区高新技术产业开发区中小企业科技孵化园内4-1号
- 专利权人: 宁夏钜晶源晶体科技有限公司
- 当前专利权人: 宁夏钜晶源晶体科技有限公司
- 当前专利权人地址: 宁夏回族自治区石嘴山市大武口区高新技术产业开发区中小企业科技孵化园内4-1号
- 代理机构: 宁夏合天律师事务所
- 代理商 孙彦虎
- 主分类号: C30B29/30
- IPC分类号: C30B29/30 ; C30B1/10 ; C30B33/00
摘要:
一种大厚度黑色钽酸锂晶片的制造方法,包括以下步骤:先将钽酸锂晶体按预定的尺寸切割好,得到若干钽酸锂晶片;彻底清除所有所述钽酸锂晶片的表面的污物,并干燥所有所述钽酸锂晶片将镧粉和氧化镧粉分别放入真空烘箱烘干,并向氧化镧粉中掺入5%~15%质量的镧粉,并混匀,即得到还原剂;在坩埚的底部交替铺撒还原剂、放置清洗后的钽酸锂晶片,将装有还原剂和若干钽酸锂晶片的坩埚放入真空还原炉;对炉膛进行抽真空,以1℃/h~50℃/h的速率提升炉内的温度,升温至550℃~600℃,保温20h~40h,降温,当温度低于100℃时,停止抽真空,待炉内的气压与外界相等后从所述真空还原炉中取出坩埚,取出还原后的钽酸锂晶片。
公开/授权文献
- CN106868595A 大厚度黑色钽酸锂晶片的制造方法 公开/授权日:2017-06-20
IPC分类: