摘要:
本发明属于电子材料和器件技术领域,具体为一种制备高度取向聚偏二氟‑三氟乙烯共聚物薄膜的方法。本发明方法是基于可移除聚四氟乙烯有序模板的,即在特定温度范围(149℃‑330℃)内,将PTFE模板紧压在铁电聚合物薄膜上,所施加压强范围介于0.5‑10MPa,压强持续时间至少10分钟;随后待温度降至室温后,将压强撤去,将PTFE模板剥离,即可获得高度有序外延生长的铁电聚合物薄膜。本发明实现了低漏电、高铁电性能铁电薄膜的制备,从而可应用于低功耗、低工作电压要求的铁电电子器件中。
公开/授权文献
- CN106863859A 一种制备高度取向聚偏二氟‑三氟乙烯共聚物薄膜的方法 公开/授权日:2017-06-20