• 专利标题: 一种制备高度取向聚偏二氟-三氟乙烯共聚物薄膜的方法
  • 申请号: CN201710003101.8
    申请日: 2017-01-04
  • 公开(公告)号: CN106863859B
    公开(公告)日: 2019-05-31
  • 发明人: 朱国栋夏维
  • 申请人: 复旦大学
  • 申请人地址: 上海市杨浦区邯郸路220号
  • 专利权人: 复旦大学
  • 当前专利权人: 复旦大学
  • 当前专利权人地址: 上海市杨浦区邯郸路220号
  • 代理机构: 上海正旦专利代理有限公司
  • 代理商 陆飞; 陆尤
  • 主分类号: B29D7/01
  • IPC分类号: B29D7/01
一种制备高度取向聚偏二氟-三氟乙烯共聚物薄膜的方法
摘要:
本发明属于电子材料和器件技术领域,具体为一种制备高度取向聚偏二氟‑三氟乙烯共聚物薄膜的方法。本发明方法是基于可移除聚四氟乙烯有序模板的,即在特定温度范围(149℃‑330℃)内,将PTFE模板紧压在铁电聚合物薄膜上,所施加压强范围介于0.5‑10MPa,压强持续时间至少10分钟;随后待温度降至室温后,将压强撤去,将PTFE模板剥离,即可获得高度有序外延生长的铁电聚合物薄膜。本发明实现了低漏电、高铁电性能铁电薄膜的制备,从而可应用于低功耗、低工作电压要求的铁电电子器件中。
0/0