发明授权
- 专利标题: 一种高纯度的多孔钛硅碳陶瓷制备方法
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申请号: CN201710039810.1申请日: 2017-01-20
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公开(公告)号: CN106830978B公开(公告)日: 2020-02-18
- 发明人: 倪东恵 , 周超兰 , 李烈军 , 鲁艳军
- 申请人: 华南理工大学
- 申请人地址: 广东省广州市天河区五山路381号
- 专利权人: 华南理工大学
- 当前专利权人: 华南理工大学
- 当前专利权人地址: 广东省广州市天河区五山路381号
- 代理机构: 广州粤高专利商标代理有限公司
- 代理商 何淑珍
- 主分类号: C04B38/02
- IPC分类号: C04B38/02 ; C04B35/56 ; C04B35/622 ; C04B35/64 ; C04B35/63
摘要:
本发明公开了一种高纯度的多孔钛硅碳陶瓷制备方法,包括步骤:1)将钛硅碳粉末与一定粒径的碳酸氢铵颗粒分别按照9:1~6:4的质量比在混粉机中混合6~12h;2)将干燥的混合粉末倒入钢模中,用100~1000MPa压力压制成生坯;3)将生坯置于管式炉中,通以保护气氛氩气,以1~30℃/min的速度逐步升温至1200℃,保温1~5 h后随炉冷却得到高纯多孔钛硅碳陶瓷。本发明提供的制备方法工艺简单,成本低,对制备设备限制较少,利于工业化生产。
公开/授权文献
- CN106830978A 一种高纯度的多孔钛硅碳陶瓷制备方法 公开/授权日:2017-06-13