双基极双向双极晶体管两个相对表面上的场板：器件、方法和系统

发明公开

CN106796951A 双基极双向双极晶体管两个相对表面上的场板：器件、方法和系统有权

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专利标题： 双基极双向双极晶体管两个相对表面上的场板：器件、方法和系统
专利标题（英）： Field plates on two opposed surfaces of double-base bidirectional bipolar transistor: devices, methods, and systems
申请号： CN201580054265.2

申请日： 2015-10-13
公开(公告)号： CN106796951A

公开(公告)日： 2017-05-31
发明人: 威廉·C·亚历山大 , 理查德·A·布兰查德
申请人： 理想能量有限公司
申请人地址： 美国德克萨斯州
专利权人： 理想能量有限公司
当前专利权人： 理想能量有限公司
当前专利权人地址： 美国德克萨斯州
代理机构： 上海脱颖律师事务所
代理商 脱颖
优先权： 62/063,090 20141013 US
国际申请： PCT/US2015/055388 2015.10.13
国际公布： WO2016/061140 EN 2016.04.21
进入国家日期： 2017-04-06
主分类号： H01L29/06
IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/10 ; H01L29/40 ; H01L29/423 ; H01L29/732

摘要：

公开了双基极双边双极功率晶体管，其中用绝缘场板将发射极/集电极扩散物和与其最靠近的基极接触扩散物隔开。所述器件在关断性能和击穿电压方面提供了令人惊奇的改进。

摘要（英）：

Dual-base two-sided bipolar power transistors which use an insulated field plate to separate the emitter/collector diffusions from the nearest base contact diffusion. This provides a surprising improvement in turn-off performance, and in breakdown voltage.

公开/授权文献

CN106796951B 双基极双向双极晶体管两个相对表面上的场板：器件、方法和系统公开/授权日：2020-08-18

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/02	.按其半导体本体的特征区分的
H01L29/06	..按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的