一种磁通门传感器及其制造方法
摘要:
本发明一种磁通门传感器及其制造方法,通过在绝缘基底表面上利用薄膜生长技术生成一层软磁材料(坡莫合金薄膜)作为磁芯;在所述软磁材料层上形成一层绝缘层之后沉积一层金属导电层,薄膜生长技术能够人为排列坡莫合金分子构成方式,达到高精度控制其均匀度和薄厚程度;再使用刻蚀技术将金薄膜雕刻成激励线圈和感应线圈,仪器设备监控流程,形成一个纳米级别的磁通门传感器;本发明解放了人力,速度快,效率高,废品率少,一次性投入之后节约大量人力成本;磁通门磁传感器本身具有体积小,精度高,功耗极低,灵敏度高,便于大批量生产,成品率高等优点。
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