发明公开
CN106772142A 一种磁通门传感器及其制造方法
无效 - 驳回
- 专利标题: 一种磁通门传感器及其制造方法
- 专利标题(英): Fluxgate sensor and manufacturing method thereof
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申请号: CN201611059268.8申请日: 2016-11-25
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公开(公告)号: CN106772142A公开(公告)日: 2017-05-31
- 发明人: 唐衡 , 曹馨 , 李翠红 , 王磊 , 王开天 , 杜爱民 , 冯晓 , 孙树全
- 申请人: 中国科学院地质与地球物理研究所
- 申请人地址: 北京市朝阳区北土城西路19号
- 专利权人: 中国科学院地质与地球物理研究所
- 当前专利权人: 中国科学院地质与地球物理研究所
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区北土城西路19号
- 代理机构: 深圳市科进知识产权代理事务所
- 代理商 赵勍毅
- 主分类号: G01R33/05
- IPC分类号: G01R33/05
摘要:
本发明一种磁通门传感器及其制造方法,通过在绝缘基底表面上利用薄膜生长技术生成一层软磁材料(坡莫合金薄膜)作为磁芯;在所述软磁材料层上形成一层绝缘层之后沉积一层金属导电层,薄膜生长技术能够人为排列坡莫合金分子构成方式,达到高精度控制其均匀度和薄厚程度;再使用刻蚀技术将金薄膜雕刻成激励线圈和感应线圈,仪器设备监控流程,形成一个纳米级别的磁通门传感器;本发明解放了人力,速度快,效率高,废品率少,一次性投入之后节约大量人力成本;磁通门磁传感器本身具有体积小,精度高,功耗极低,灵敏度高,便于大批量生产,成品率高等优点。