发明公开
- 专利标题: 低硅预焙阳极及其制备方法
- 专利标题(英): Low-silicon prebaked anode and preparation method thereof
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申请号: CN201611090639.9申请日: 2016-12-01
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公开(公告)号: CN106757160A公开(公告)日: 2017-05-31
- 发明人: 姜海涛 , 汤昌廷 , 周平 , 禹玉江
- 申请人: 山东南山铝业股份有限公司 , 烟台南山学院
- 申请人地址: 山东省烟台市龙口市东江镇前宋村;
- 专利权人: 山东南山铝业股份有限公司,烟台南山学院
- 当前专利权人: 山东南山铝业股份有限公司,烟台南山学院
- 当前专利权人地址: 山东省烟台市龙口市东江镇前宋村;
- 代理机构: 北京超凡志成知识产权代理事务所
- 代理商 许洪洁
- 主分类号: C25C3/12
- IPC分类号: C25C3/12
摘要:
一种低硅预焙阳极及其制备方法,涉及有色金属冶金中铝电解技术领域,该低硅预焙阳极是在阳极原料中添加含氟无机盐制备而成,含氟无机盐的添加量为阳极原料总量的0.1%~2%,阳极原料按质量百分数计包括82%~86%的炭质骨料和14%~18%的粘结剂,该低硅预焙阳极的硅含量控制在较低范围内,满足电解铝对优质阳极的需求;该制备方法是将含氟无机盐加入到炭质骨料中,经充分混合、预热,再在混捏过程中加入粘结剂,成型、焙烧,即得,该制备方法可降低制得的预焙阳极的硅含量,使其控制在100ppm~200ppm范围内。
公开/授权文献
- CN106757160B 低硅预焙阳极及其制备方法 公开/授权日:2019-07-02