FET-双极晶体管组合

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专利标题： FET-双极晶体管组合
申请号： CN201611040520.0

申请日： 2016-11-10
公开(公告)号： CN106684073B

公开(公告)日： 2019-06-18
发明人: E·J·考尼
申请人： 亚德诺半导体集团
申请人地址： 百慕大群岛(英)哈密尔顿
专利权人： 亚德诺半导体集团
当前专利权人： 亚德诺半导体无限责任公司
当前专利权人地址： 百慕大群岛(英)哈密尔顿
代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理商 申发振
优先权： 14/937,627 2015.11.10 US
主分类号： H01L25/07
IPC分类号： H01L25/07

摘要：

本公开涉及FET‑双极晶体管组合。提供了一种晶体管开关设备，其表现出相对良好的电压能力和相对容易的驱动要求以接通和断开设备。这可以减少可能扰乱其他组件的瞬态驱动电流。

摘要（英）：

A transistor switch device is provided that exhibits relatively good voltage capability and relatively easy drive requirements to turn the device on and off. This can reduce transient drive current flows that may perturb other components.

公开/授权文献

CN106684073A FET‑双极晶体管组合公开/授权日：2017-05-17

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L25/00	由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）
H01L25/03	.所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04	..不具有单独容器的器件
H01L25/07	...包含在H01L29/00组类型的器件