发明公开
CN106601304A NOR存储芯片校验过程中的防漏电方法
无效 - 驳回
- 专利标题: NOR存储芯片校验过程中的防漏电方法
- 专利标题(英): Method for preventing electric leakage in checking process of NOR storage chips
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申请号: CN201611261988.2申请日: 2016-12-31
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公开(公告)号: CN106601304A公开(公告)日: 2017-04-26
- 发明人: 谭继斌 , 任军 , 盛荣华
- 申请人: 合肥恒烁半导体有限公司
- 申请人地址: 安徽省合肥市庐阳区工投兴庐科技产业园2号楼6层
- 专利权人: 合肥恒烁半导体有限公司
- 当前专利权人: 合肥恒烁半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市庐阳区工投兴庐科技产业园2号楼6层
- 主分类号: G11C29/12
- IPC分类号: G11C29/12
摘要:
本发明提供了一种NOR存储芯片校验过程中的防漏电方法,包括以下步骤:步骤一、擦写结束后,校验开始前,打开小负压电路使能信号,准备好小负压通路;步骤二、在校验过程中,连在同一根位线上的存储单元,除了被校验的单元,其他所有存储单元的字线上都加上一个小负压,小负压由存储单元的擦特性决定,比擦过的存储单元能达到的最低阈值更低,确保每次校验有且仅有选中的单元有电流导通;步骤三,被校验的单元字线加校验电压,由位线上的电流决定校验结果。本发明杜绝了漏电流的产生,极大提升了擦写校验的针对性,从而可以更加精确的控制擦写的程度。