Invention Publication
- Patent Title: 同时生长多种掺杂CaF2晶体的装置及基于该装置的制备方法
- Patent Title (English): Device for simultaneously growing various CaF2 doped crystals and preparation method based on device
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Application No.: CN201610962756.3Application Date: 2016-10-28
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Publication No.: CN106498488APublication Date: 2017-03-15
- Inventor: 王庆国 , 徐军 , 罗平 , 吴锋 , 唐慧丽 , 刘军芳 , 刘斌 , 王东海
- Applicant: 同济大学
- Applicant Address: 上海市杨浦区四平路1239号
- Assignee: 同济大学
- Current Assignee: 同济大学
- Current Assignee Address: 上海市杨浦区四平路1239号
- Agency: 上海科盛知识产权代理有限公司
- Agent 赵志远
- Main IPC: C30B15/34
- IPC: C30B15/34 ; C30B29/12

Abstract:
本发明涉及同时生长多种掺杂CaF2晶体的装置及基于该装置的制备方法,装置包括托盘、保温筒、感应线圈、由下而上依次设置在保温筒中的底部保温层、坩埚、生长模具单元、籽晶以及籽晶杆,籽晶固定在籽晶杆底端,并通过籽晶杆可上下移动地设置在生长模具单元的正上方,坩埚中布设有多个相互平行排列的坩埚隔板,坩埚隔板将坩埚的内腔分隔成多个相互独立且互不相通的晶体生长区间,生长模具单元包括多个分别与晶体生长区间一一对应设置的晶体生长模具。与现有技术相比,本发明生长成本低,生长周期短,多种掺杂浓度同时生长,适用其他多种氟化物晶体,惰性气体保护生长,无氧杂质,生长过程可见可控,晶体质量高。
Public/Granted literature
- CN106498488B 同时生长多种掺杂CaF2晶体的装置及基于该装置的制备方法 Public/Granted day:2019-04-02
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IPC分类: