本发明涉及一种硅麦克风的技术领域，尤其涉及一种高信噪比传感器及麦克风。包括立柱；硅基背极板，固定设置与立柱的顶端；声学振膜，与硅基背极板间隔一预定间距，声学振膜边缘通过一连接装置固定连接硅基背极板；其中，硅基背极板、声学振膜结合硅基背极板与声学振膜之间的气隙形成传感器的电容结构。将声学振膜通过一连接装置连接硅基背极板，连接装置对声学振膜施加的拉力为倾斜拉力，大大降低了声学振膜的水平方向的侧向应力。在声压推动声学振膜发生形变时，声压可以推动整张声学振膜发生振动，即全膜振动，整个声学振膜发生振动，电容的容值变化范围较大，即采集声音范围增大，同时也增强了采集声音信号的信噪比。