发明公开
CN106065461A 一种利用电火花渗硅技术制备高硅硅钢片的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种利用电火花渗硅技术制备高硅硅钢片的方法
- 专利标题(英): Method for preparing high-silicon silicon steel sheet through electric spark silicon infiltration technology
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申请号: CN201610509852.2申请日: 2016-07-01
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公开(公告)号: CN106065461A公开(公告)日: 2016-11-02
- 发明人: 陈为为 , 张玉平 , 陈超 , 王鲁
- 申请人: 北京理工大学
- 申请人地址: 北京市海淀区中关村南大街5号
- 专利权人: 北京理工大学
- 当前专利权人: 北京理工大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区中关村南大街5号
- 代理机构: 北京理工大学专利中心
- 代理商 杨志兵; 仇蕾安
- 主分类号: C23C10/20
- IPC分类号: C23C10/20
摘要:
本发明涉及一种利用电火花渗硅技术制备高硅硅钢片的方法,属于硅钢表面处理技术领域。该方法步骤如下:分别将作为阳极的硅钢片以及作为阴极的硅电极浸入数控电火花成型机的工作液槽的工作液中,阴极以及阳极分别与脉冲电源连接;打开电源后调节峰值电流、脉冲宽度、脉冲间隔,工作30~180s后关闭电源,从工作液中取出阳极并吹干,得到所述高硅硅钢片。本发明所述方法生产效率高、成本低、安全环保且易实现规模化生产;所制备的高硅硅钢片中硅含量可达8~11wt%,具有很低的铁损和磁致伸缩系数。
公开/授权文献
- CN106065461B 一种利用电火花渗硅技术制备高硅硅钢片的方法 公开/授权日:2019-01-04
IPC分类: