本发明涉及一种B掺杂SiC纳米线大应变系数高灵敏压力传感器，包括原子力显微镜探针(含Pt/It镀层)、Si片和负载于Si片上的B掺杂SiC纳米线。其制备方法为：将有机前驱体进行预处理得到有机前躯体粉末，取有机前躯体粉末和氧化硼粉末为原料；将催化剂形成于柔性衬底上；然后将原料及柔性衬底一起置于气氛烧结炉中，经程序升温进行热解后再经程序降温生长，制备得到B掺杂SiC纳米线。然后将B掺杂SiC纳米线分散于溶剂中形成混合溶液，然后通过该混合溶液将B掺杂SiC纳米线负载于Si片上，制备成一种应变系数高、灵敏度高的B掺杂SiC纳米线大应变系数高灵敏压力传感器。