本发明公开了一种MOSFET封装结构及其制作方法，封装结构，包括硅基板和MOSFET芯片，MOSFET芯片正面包含有源极导电垫和栅极导电垫，背面包含有漏极区及金属层，硅基板表面有下沉凹槽，下沉凹槽底部铺设有延伸至基板表面上的导电层，作为漏极导电垫，MOSFET芯片背面贴装到下沉凹槽的底部，金属层与下沉凹槽底部的导电层通过金属键合连接，源极导电垫、栅极导电垫及漏极导电垫上均形成有与外部互连的导电体，硅基板正面上导电体以外部分由保护层包封。本发明将垂直结构的MOSFET背面漏极电流引至MOSFET的正面，实现了源极、栅极、漏极电性在同一侧面，以便进行晶圆级封装，且大面积导电层保证了芯片良好的散热效果；避免硅通孔TSV制程，简化了工艺步骤，降低了封装成本。