发明公开
CN105699429A 一种微米级半导体传感器及其制备方法
无效 - 驳回
- 专利标题： 一种微米级半导体传感器及其制备方法
- 专利标题（英）： Micron-order semiconductor sensor and preparation method thereof
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申请号： CN201610011175.1申请日： 2016-01-08
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公开(公告)号： CN105699429A公开(公告)日： 2016-06-22
- 发明人: 张一茗 , 王小华 , 闫广超 , 宋亚凯 , 穆广祺 , 荣命哲 , 郭煜敬 , 谭盛武 , 袁端磊 , 王礼田 , 李少华 , 曹明德 , 蒋晓旭 , 高群伟 , 张文涛 , 尉镔 , 张明礼 , 刘璐 , 宋述停 , 吕品雷
- 申请人： 平高集团有限公司 , 国家电网公司 , 国网山西省电力公司 , 西安交通大学
- 申请人地址： 河南省平顶山市南环东路22号
- 专利权人： 平高集团有限公司,国家电网公司,国网山西省电力公司,西安交通大学
- 当前专利权人： 平高集团有限公司,国家电网公司,国网山西省电力公司,西安交通大学
- 当前专利权人地址： 河南省平顶山市南环东路22号
- 代理机构： 郑州睿信知识产权代理有限公司
- 代理商 牛爱周
- 主分类号： G01N27/00
- IPC分类号： G01N27/00 ; H01L21/308
摘要：
本发明涉及一种微米级半导体传感器及其制备方法，属于半导体传感器制造技术领域。本发明的微米级半导体传感器的制备方法包括如下步骤：在硅板上溅射铝膜，在铝膜上涂光刻胶，在光刻胶上覆盖掩膜版，曝光，去除掩膜版，显影，得到铝光刻硅板；采用刻蚀剂对得到的铝光刻硅板的硅板进行刻蚀，然后去除光刻胶，即得。本发明的微米级半导体传感器电极的制备方法加工精度高，而且该方法加工效率高，适合于大规模生产。
