发明公开
- 专利标题: 多层配线基板的制造方法
- 专利标题(英): Method for manufacturing multilayer wiring substrate
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申请号: CN201480055472.5申请日: 2014-09-24
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公开(公告)号: CN105612819A公开(公告)日: 2016-05-25
- 发明人: 吉田信之
- 申请人: 日立化成株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 日立化成株式会社
- 当前专利权人: 昭和电工材料株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京银龙知识产权代理有限公司
- 代理商 钟晶; 金鲜英
- 优先权: 2013-211871 2013.10.09 JP; 2014-147756 2014.07.18 JP
- 国际申请: PCT/JP2014/075256 2014.09.24
- 国际公布: WO2015/053083 JA 2015.04.16
- 进入国家日期: 2016-04-07
- 主分类号: H05K3/40
- IPC分类号: H05K3/40 ; H05K3/00
摘要:
一种多层配线基板的制造方法,其具有:工序(1),使用敷形法或直接激光法,设置从上层配线用金属箔到内层配线的通孔用孔、形成于该通孔用孔的开口部的上层配线用金属箔的突出、以及在该金属箔的突出与所述通孔用孔的内壁之间形成的下方空间;以及工序(2),通过在所述通孔用孔内和上层配线用金属箔上形成填充电镀层来填埋所述通孔用孔,所述工序(2)中通过形成填充电镀层而进行的通孔用孔的填埋如下进行:在填充电镀的中途使填充电镀的电流密度暂时降低,再使其增加。
公开/授权文献
- CN105612819B 多层配线基板的制造方法 公开/授权日:2018-06-22