发明授权
- 专利标题: 二极管及其形成方法
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申请号: CN201610130584.3申请日: 2016-03-08
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公开(公告)号: CN105576043B公开(公告)日: 2019-01-04
- 发明人: 曹云
- 申请人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- 专利权人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 高静; 吴敏
- 主分类号: H01L29/861
- IPC分类号: H01L29/861 ; H01L29/06 ; H01L21/329
摘要:
一种二极管及其形成方法,其中二极管包括:衬底;位于衬底上相邻的第一半导体层和第二半导体层,所述第一半导体层和第二半导体层相接触构成PN结,所述第一半导体层与静电接收端相连,所述第二半导体层与静电释放端相连,使所述PN结为反相偏置状态;所述第一半导体层和第二半导体层具有齿形交界面。本发明通过将二极管中第一半导体层和第二半导体层的交界面设置为齿形交界面,增大了所述第一半导体层和第二半导体层的接触面积,增大了所述二极管的电容,提高了单个所述二极管的放电能力,能够有效减少二极管的数量,节约晶圆面积,提高器件集成度。
公开/授权文献
- CN105576043A 二极管及其形成方法 公开/授权日:2016-05-11
IPC分类: