- 专利标题： 超高频射频识别电子标签芯片的片上阻抗匹配方法
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申请号： CN201410546409.3申请日： 2014-10-15
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公开(公告)号： CN105574578B公开(公告)日： 2019-03-15
- 发明人: 管超 , 郝先人
- 申请人： 睿芯联科(北京)电子科技有限公司
- 申请人地址： 北京市海淀区上地信息路26号中关村创业大厦317室
- 专利权人： 睿芯联科(北京)电子科技有限公司
- 当前专利权人： 睿芯联科(北京)电子科技有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区上地信息路26号中关村创业大厦317室
- 代理机构： 北京安博达知识产权代理有限公司
- 代理商 徐国文
- 主分类号： G06K19/077
- IPC分类号： G06K19/077 ; G06K19/073
摘要：
本发明提供了一种超高频射频识别电子标签芯片的片上阻抗匹配方法，通过增加阻抗匹配电路调整所述芯片的输入阻抗，包括步骤1：构建输入阻抗的等效电路；等效电路为电阻并联电容的二端网络；步骤2：在等效电路的输出端增加L型阻抗匹配电路。与现有技术相比，本发明提供的一种超高频射频识别电子标签芯片的片上阻抗匹配方法，能够在空间受限或者环境恶劣的情况下，提高超高频射频识别电子标签芯片的Q值，从而保证电子标签正常工作。
公开/授权文献
- CN105574578A 超高频射频识别电子标签芯片的片上阻抗匹配方法 公开/授权日：2016-05-11
