- 专利标题: 一种利用CO2激光裂解聚硅氧烷材料制备SiOC陶瓷涂层的方法
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申请号: CN201610140988.0申请日: 2016-03-11
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公开(公告)号: CN105568263B公开(公告)日: 2018-06-08
- 发明人: 刘军 , 乔玉林 , 薛胤昌 , 张平 , 臧艳
- 申请人: 中国人民解放军装甲兵工程学院
- 申请人地址: 北京市丰台区杜家坎21号
- 专利权人: 中国人民解放军装甲兵工程学院
- 当前专利权人: 中国人民解放军装甲兵工程学院
- 当前专利权人地址: 北京市丰台区杜家坎21号
- 代理机构: 北京智为时代知识产权代理事务所
- 代理商 王加岭; 杨静
- 主分类号: C23C18/14
- IPC分类号: C23C18/14 ; C04B35/56
摘要:
本发明涉及一种利用CO2激光裂解聚硅氧烷材料制备SiOC陶瓷涂层的方法。该方法首先制备聚硅氧烷材料的混合溶液,采用刷涂或喷涂法在铁基金属表面制备涂层A;在惰性气体保护下,使用连续高能可控激光扫描涂层A,使其发生反应,生成SiOC陶瓷涂层。本发明通过激光裂解聚硅氧烷材料制备陶瓷涂层,其制备周期短,陶瓷表面光滑且孔隙率低,所得陶瓷涂层具有良好的防腐耐磨特性。本发明为解决单纯铁基金属材料难以在某些苛刻工况下可靠服役提供了新的方法。
公开/授权文献
- CN105568263A 一种利用CO2激光裂解聚硅氧烷材料制备SiOC陶瓷涂层的方法 公开/授权日:2016-05-11
IPC分类: