- 专利标题: 基于B←N桥联噻吩联噻唑的共轭高分子及其制备方法与应用
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申请号: CN201610064544.3申请日: 2016-01-29
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公开(公告)号: CN105542130B公开(公告)日: 2018-03-13
- 发明人: 刘俊 , 窦传冬 , 赵汝艳 , 王利祥
- 申请人: 中国科学院长春应用化学研究所
- 申请人地址: 吉林省长春市朝阳区人民大街5625号
- 专利权人: 中国科学院长春应用化学研究所
- 当前专利权人: 中国科学院长春应用化学研究所
- 当前专利权人地址: 吉林省长春市朝阳区人民大街5625号
- 代理机构: 长春菁华专利商标代理事务所
- 代理商 王莹
- 主分类号: C08G61/12
- IPC分类号: C08G61/12 ; H01L51/46
摘要:
基于B←N桥联噻吩联噻唑的共轭高分子及其制备方法与应用,属于高分子太阳能电池技术领域。解决了现有技术中高分子太阳能电池能量转换效率低的问题。该共轭高分子具有如式(I)所示的结构,通过桥联单元(Ar2)不同的给电子能力、与拉电子单元共聚的不同成键角度及烷基链的长短变化,能够对共轭高分子的电子结构进行有效调节,使其具有窄带隙、宽吸收光谱、低LUMO/HOMO能级、高电子迁移率等优点,经检测,共轭高分子的LUMO能级在–3.60eV到–4.0eV,光学带隙小于1.8eV,膜态吸收光谱在300~900nm,电子迁移率在10‑2~10‑5cm2V‑1s‑1,能够作为高性能太阳能电池的受体材料。
公开/授权文献
- CN105542130A 基于B←N桥联噻吩联噻唑的共轭高分子及其制备方法与应用 公开/授权日:2016-05-04