发明公开
CN105514122A TFT阵列基板及其制造方法
无效 - 驳回
- 专利标题: TFT阵列基板及其制造方法
- 专利标题(英): TFT array substrate and manufacturing method thereof
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申请号: CN201610058332.4申请日: 2016-01-28
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公开(公告)号: CN105514122A公开(公告)日: 2016-04-20
- 发明人: 李金明
- 申请人: 深圳市华星光电技术有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
- 专利权人: 深圳市华星光电技术有限公司
- 当前专利权人: 深圳市华星光电技术有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
- 代理机构: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司
- 代理商 孙伟峰; 侯艺
- 主分类号: H01L27/12
- IPC分类号: H01L27/12 ; H01L21/77
摘要:
本发明提供一种TFT阵列基板及其制造方法。所述TFT阵列基板包括:基底;半导体层,形成在基底上;像素电极,形成在基底上以与半导体层位于同一层上;栅极绝缘层,形成在半导体层上;栅电极,形成在栅极绝缘层上;层间绝缘层,形成在基底上以覆盖栅极绝缘层、栅电极和像素电极;源电极,设置在层间绝缘层上并电连接到半导体层;漏电极,设置在层间绝缘层上并电连接半导体层和像素电极。根据本发明的阵列基板及其制造方法,能够避免金属刻蚀液对金属氧化物的刻蚀。此外,本发明的包括顶栅结构的TFT的阵列基板比传统的顶栅结构的TFT节省两道光罩工艺,从而降低了生产成本。
IPC分类: