TFT阵列基板及其制造方法
摘要:
本发明提供一种TFT阵列基板及其制造方法。所述TFT阵列基板包括:基底;半导体层,形成在基底上;像素电极,形成在基底上以与半导体层位于同一层上;栅极绝缘层,形成在半导体层上;栅电极,形成在栅极绝缘层上;层间绝缘层,形成在基底上以覆盖栅极绝缘层、栅电极和像素电极;源电极,设置在层间绝缘层上并电连接到半导体层;漏电极,设置在层间绝缘层上并电连接半导体层和像素电极。根据本发明的阵列基板及其制造方法,能够避免金属刻蚀液对金属氧化物的刻蚀。此外,本发明的包括顶栅结构的TFT的阵列基板比传统的顶栅结构的TFT节省两道光罩工艺,从而降低了生产成本。
0/0