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发明授权
CN105463380B 高饱和磁化强度氧化物稀磁半导体纳米点阵列的制备方法 失效 - 权利终止

  • 专利标题： 高饱和磁化强度氧化物稀磁半导体纳米点阵列的制备方法
  • 申请号： CN201510818327.4
    申请日： 2015-11-19
  • 公开(公告)号： CN105463380B
    公开(公告)日： 2018-05-18
  • 发明人: 许小红 , 陈丹 , 江凤仙 , 马文睿
  • 申请人： 山西师范大学
  • 申请人地址： 山西省临汾市尧都区贡院街1号山西师范大学
  • 专利权人： 山西师范大学
  • 当前专利权人： 山西师范大学
  • 当前专利权人地址： 山西省临汾市尧都区贡院街1号山西师范大学
  • 主分类号： C23C14/28
  • IPC分类号： C23C14/28 ;  C23C14/08
高饱和磁化强度氧化物稀磁半导体纳米点阵列的制备方法
摘要：
本发明公开了一种高饱和磁化强度(In1‑xFex)2O3氧化物稀磁半导体纳米点阵列的制备方法，是将制备的双通多孔超薄阳极氧化铝模板转移到Al2O3(0001)基片上，在覆有模板的基片上采用脉冲激光沉积的方法生长大面积高度有序的(In1‑xFex)2O3纳米点阵列，最后将模板去除。本发明所得的具有室温铁磁性(In1‑xFex)2O3纳米点直径为30～100nm，高度为20～40nm，间距为65～150nm，点密度为176Gb/in2～33Gb/in2，样品在温度为300K时表现为铁磁性，并且该纳米点阵列的饱和磁化强度比相同条件下制备的相同厚度薄膜有大幅提升。
摘要（英）：

The invention discloses a preparing method for high-saturation-magnetization (In1-xFex)2O3 oxide diluted magnetic semiconductor nanometer point arrays. A prepared bi-pass porous ultra-thin anodised aluminum template is transferred to an Al2O3(0001) substrate, the large-area (In1-xFex)2O3 nanometer point arrays highly orderly grow on the substrate covered with the template through a pulsed laser deposition method, and finally the template is removed. Obtained (In1-xFex)2O3 nanometer points with the room-temperature ferromagnetism are 30-100 nm in diameter, 20-40 nm in height, 65-150 nm in distance and 176 Gb/in2-33 Gb/in2 in point density, a sample represents the ferromagnetism at the temperature of 300 K, and under the condition that the saturation magnetization ratios of the nanometer point arrays are the same, prepared films with the same thickness are greatly improved.

公开/授权文献
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