本发明公开了一种埋入硅基板扇出型封装方法，首先，在晶圆级水平将芯片埋入到硅基板圆片上，然后，在扇出工艺过程中，将若干硅基板圆片贴在一块面板上进行面板级封装，最后，在晶圆级水平进行凸点制备或植焊球；本发明先芯片埋入到硅基板圆片上再进行面板级封装，增加了封装的可操作性和精度，减少了面板的翘曲。在面板级工艺过程中激光直接曝光时，通过每个晶圆分别进行对准调整，提高了整体的对准精度，有利于细节距焊盘芯片的扇出封装加工。从晶圆级封装到面板级封装的过程，结合了晶圆级封装金属布线线宽/线距小、精度高的优势和面板级封装倍增的封装数量，明显提高了封装质量及效率，大大降低了封装成本。