一种GaAs/Si外延材料的MOCVD制备方法
摘要:
本发明提供一种GaAs/Si外延材料的MOCVD制备方法,包括:在清洁的单晶硅衬底上制作GaAs低温成核层;在所述GaAs低温成核层上制作GaAs中温缓冲层;在所述GaAs中温缓冲层上制作GaAs第一高温缓冲层;在所述GaAs第一高温缓冲层上制作GaAs第二高温缓冲层;在所述GaAs第二高温缓冲层上制作GaAs变温缓冲层;在所述GaAs变温缓冲层上制作多层量子点位错阻挡层;在所述多层量子点位错阻挡层上制作应变插入层;在所述应变插入层上制作GaAs外延层。本发明能够大面积、均匀、高重复性地完成材料生长和制备,降低所生长材料的位错密度,成本更加低廉,更适合产业化的需求。
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