发明授权
- 专利标题： 场发射阴极的制备方法
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申请号： CN201410327704.X申请日： 2014-07-10
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公开(公告)号： CN105448624B公开(公告)日： 2017-09-01
- 发明人: 杜秉初 , 柳鹏 , 周段亮 , 张春海 , 范守善
- 申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 申请人地址： 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室;
- 专利权人： 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 当前专利权人： 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室;
- 主分类号： H01J9/02
- IPC分类号： H01J9/02
摘要：
一种场发射阴极的制备方法，该方法包括以下步骤：提供一微通道板，该微通道板具有多个开孔；提供一碳纳米管浆料，将所述碳纳米管浆料填充于所述微通道板的多个开孔内，部分碳纳米管浆料粘附于所述微通道板的开孔内壁；加热填充碳纳米管浆料的微通道板，使得所述碳纳米管浆料中的有机载体挥发，得到一场发射阴极。
公开/授权文献
- CN105448624A 场发射阴极的制备方法 公开/授权日：2016-03-30
