Invention Publication
- Patent Title: 一种基于介质沉积型表面等离子波导的SOI基MZI型1×2热光开关
- Patent Title (English): SOI-based MZI type 1*2 thermo-optical switch based on medium sedimentary type surface plasma waveguides
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Application No.: CN201510953020.5Application Date: 2015-12-17
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Publication No.: CN105388637APublication Date: 2016-03-09
- Inventor: 胡国华 , 戚志鹏 , 李磊 , 恽斌峰 , 张若虎 , 钟嫄 , 崔一平
- Applicant: 东南大学
- Applicant Address: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
- Assignee: 东南大学
- Current Assignee: 东南大学
- Current Assignee Address: 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
- Agency: 南京瑞弘专利商标事务所
- Agent 黄成萍
- Main IPC: G02F1/01
- IPC: G02F1/01 ; G02F1/31 ; G02B6/122 ; G02B6/125 ; G02B6/28 ; G02B6/35

Abstract:
本发明公开了一种基于介质沉积型表面等离子波导的SOI基MZI型1×2热光开关,包括一个硅脊型直波导,作为SOI基1×2热光开关与外接单模光纤的接口;一个拉锥型的硅脊型波导Y分支,作为1×2热光开关的3-dB光学分束器,用于将输入光波等量的分成两束;六个S形硅脊型弯曲波导,分别用于Y分支与两侧调制臂以及调制臂与定向耦合器的连接,并且将经过定向耦合器调制后的光输出;两个介质沉积型表面等离子波导,位于1×2热光开关的两侧调制臂上,用于MZI结构的相位调制;一个硅脊型波导的定向耦合器,用于对相位调制后的两束光进行多模干涉,将相位调制转化为强度调制。本发明具有响应快、集成化程度高、开关功耗低等特性。
Public/Granted literature
- CN105388637B 一种基于介质沉积型表面等离子波导的SOI基MZI型1×2热光开关 Public/Granted day:2018-02-13
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