发明公开

一种中子源
摘要:
本发明公开了一种中子源,包括:离子源、低能传输段、RFQ加速器、高能传输段、射频功率源、靶站装置以及控制系统;所述离子源,用于产生离子;所述低能传输段,用于对离子的束流进行调节;所述RFQ加速器,用于对离子的束流进行加速,以使每个离子的能量在0.1-10MeV之间;所述高能传输段,用于对加速后的离子的束流进行调节;所述射频功率源,用于为RFQ加速器提供射频信号;所述靶站装置,用于产生中子并将中子引出;所述控制系统,用于对离子源、低能传输段、RFQ加速器、高能传输段和靶站装置进行控制。本发明能够将单独的RFQ加速器应用到中子源中,体积小、占用空间少,中子产额高、便于生产安装。
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