发明授权
- 专利标题: 一种薄膜晶体管、阵列基板及相关制作方法
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申请号: CN201510640918.7申请日: 2015-09-30
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公开(公告)号: CN105304497B公开(公告)日: 2021-05-14
- 发明人: 程磊磊 , 许凯 , 袁广才
- 申请人: 京东方科技集团股份有限公司
- 申请人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 专利权人: 京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人: 京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 代理机构: 北京银龙知识产权代理有限公司
- 代理商 许静; 黄灿
- 主分类号: H01L21/336
- IPC分类号: H01L21/336 ; H01L21/288 ; H01L27/12 ; H01L29/49 ; H01L29/51 ; H01L29/786
摘要:
本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板及相关制作方法。薄膜晶体管的制作方法包括:形成绝缘层的步骤。其中,所述形成绝缘层的步骤进一步包括:形成硅氧烷材料层;对所述硅氧烷材料层进行氧化处理,使所述硅氧烷材料层的表面形成无机硅薄膜;在本发明的方案中,绝缘层的外层为无机硅薄膜,即现有技术中常用的绝缘层材料。内层为硅氧烷材料,具有低介电常数和高化学稳定的特点,可稳定地抑制薄膜晶体管电极所产生的电容效应,从而能够以较低的电压进行驱动,有效降低能耗。
公开/授权文献
- CN105304497A 一种薄膜晶体管、阵列基板及相关制作方法 公开/授权日:2016-02-03
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