本申请案涉及一种包括异质结双极晶体管hbt及互补金属氧化物半导体cmos装置的混合功率放大器。异质结双极晶体管HBT混合型RF(射频)功率放大器包含：第一装置，所述第一装置包含用于接收RF信号的输入端子、用于放大所接收RF信号的前置驱动器级，及输出端子，所述输入端子、所述前置驱动器级及所述输出端子安置于第一衬底中或上方；及第二装置，所述第二装置具有主要级，所述主要级具有安置于第二衬底中或上方的HBT放大器电路以进一步放大由所述前置驱动器级放大的RF信号。由所述主要级进一步放大的所述RF信号通过所述第一装置的所述输出端子输出。