发明授权
- 专利标题: 一种埋入式电容的制备方法
-
申请号: CN201510574510.4申请日: 2015-09-10
-
公开(公告)号: CN105228344B公开(公告)日: 2018-09-04
- 发明人: 王锋伟 , 崔成强 , 张仕通 , 王靖
- 申请人: 安捷利(番禺)电子实业有限公司
- 申请人地址: 广东省广州市南沙区环市大道南63号
- 专利权人: 安捷利(番禺)电子实业有限公司
- 当前专利权人: 安捷利(番禺)电子实业有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省广州市南沙区环市大道南63号
- 代理机构: 广州新诺专利商标事务所有限公司
- 代理商 肖云
- 主分类号: H05K1/16
- IPC分类号: H05K1/16
摘要:
本发明涉及一种埋入式电容的制备方法,包括在铜箔片一侧涂布导电性树脂并烘干完全固化,在导电性树脂表面涂覆介电性树脂并预烘干至半固化状态,将两片铜箔片的介电性树脂表面相对贴合并压合、高温固化以获取双面覆铜叠层板,将双面覆铜叠层板通过贴干膜、曝光、显影、除铜层、除导电层以及剥膜处理以得到埋入式电容等步骤;铜箔片选用较为平整的压延铜箔或者低轮廓电解铜箔,其厚度为1/2oz或者1oz;使用辊压或者真空层压对介电性树脂表面进行压合;通过蚀刻以除去铜层,通过喷砂或激光深控切割以除去导电层;介电性树脂可二次涂覆。通过本发明所获得的埋入式电容的结构,保证在降低介电层厚度以增强电容密度的同时,有效保持介电层的力学性能。
公开/授权文献
- CN105228344A 一种埋入式电容的制备方法 公开/授权日:2016-01-06