发明授权
- 专利标题： 用于处理磁结构的工艺
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申请号： CN201480010664.4申请日： 2014-02-21
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公开(公告)号： CN105164828B公开(公告)日： 2018-07-13
- 发明人: 达菲内·拉维洛索纳
- 申请人： 国家科学研究中心 , 巴黎第十一大学
- 申请人地址： 法国巴黎
- 专利权人： 国家科学研究中心,巴黎第十一大学
- 当前专利权人： 国家科学研究中心,巴黎萨克雷大学
- 当前专利权人地址： 法国巴黎
- 代理机构： 上海天协和诚知识产权代理事务所
- 代理商 童锡君
- 优先权： 1351739 2013.02.27 FR
- 国际申请： PCT/FR2014/050366 2014.02.21
- 国际公布： WO2014/131969 FR 2014.09.04
- 进入国家日期： 2015-08-27
- 主分类号： H01L43/12
- IPC分类号： H01L43/12 ; C23C18/50 ; H01F41/14
摘要：
处理磁结构的工艺，其特征在于，包括以下步骤：提供(S10)包括至少一层含钴铁硼(CoFeB)合金的第一磁性材料层的磁结构；用低能轻离子辐射(S20)磁结构；以及用预设温度曲线和预设的时间来保持(S30)磁结构。
公开/授权文献
- CN105164828A 用于处理磁结构的工艺 公开/授权日：2015-12-16
IPC分类:
