发明授权
- 专利标题： 相变化记忆体的制备方法
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申请号： CN201510394649.0申请日： 2015-07-07
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公开(公告)号： CN105098069B公开(公告)日： 2017-09-19
- 发明人: 苏水金
- 申请人： 江苏时代全芯存储科技有限公司 , 江苏时代芯存半导体有限公司 , 英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
- 申请人地址： 江苏省淮安市淮阴区淮河东路188号; ;
- 专利权人： 江苏时代全芯存储科技有限公司,江苏时代芯存半导体有限公司,英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
- 当前专利权人： 北京时代全芯存储技术股份有限公司,江苏时代芯存半导体有限公司英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省淮安市淮阴区淮河东路188号; ;
- 代理机构： 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理商 徐金国
- 主分类号： H01L45/00
- IPC分类号： H01L45/00
摘要：
一种相变化记忆体的制备方法，包含下列步骤。先形成一加热材料层于一介电层上，接着形成一第一罩幕层于加热材料层上，之后再形成一第二罩幕层于第一罩幕层上。然后图案化加热材料层、第一罩幕层与第二罩幕层，以暴露第一罩幕层的一侧面，并自第一罩幕层的侧面处移除部分第一罩幕层，以暴露部分加热材料层。在移除第二罩幕层后，以第一罩幕层为遮罩，移除暴露的部分加热材料层以形成一加热器。
公开/授权文献
- CN105098069A 相变化记忆体的制备方法 公开/授权日：2015-11-25
IPC分类:
