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CN104987860B 共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法
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Application No.: CN201510444553.0Application Date: 2015-07-24
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Publication No.: CN104987860BPublication Date: 2017-03-01
- Inventor: 王春雷 , 黄光光 , 徐淑宏 , 崔一平
- Applicant: 东南大学
- Applicant Address: 江苏省南京市江宁区江宁街道瑜桥街96号
- Assignee: 东南大学
- Current Assignee: 东南大学
- Current Assignee Address: 江苏省南京市江宁区江宁街道瑜桥街96号
- Agency: 南京瑞弘专利商标事务所
- Agent 陈国强
- Main IPC: C09K11/62
- IPC: C09K11/62

Abstract:
本发明公开了一种共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法,包括白光发射ZnInS:Ag/ZnS/ZnS:Mn/ZnS与ZnInS:Ag&Mn/ZnS/ZnS/ZnS纳米材料的制备;其中,采用核壳结构合成ZnInS:Ag/ZnS/ZnS:Mn/ZnS纳米材料,包括如下步骤:(1)颜色可调ZnInS:Ag核的制备;(2)第一摩尔层ZnS包核;(3)Mn离子的吸附与第二、三摩尔层的包核;ZnInS:Ag&Mn/ZnS/ZnS/ZnS纳米材料的制备是把步骤(3)中Mn前驱体的注入时机提前到步骤(1)中S前驱体注入之前。本发明采用是单锅热注入法,过程简单、容易操作、原料供给方便、原料价格低廉,在一般的化学实验室均能完成,易于推广。
Public/Granted literature
- CN104987860A 共掺型与分掺型ZnInS/ZnS双发射量子点的制备方法 Public/Granted day:2015-10-21
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