Invention Publication
- Patent Title: 等离子体处理装置
- Patent Title (English): PLASMA PROCESSING APPARATUS
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Application No.: CN201510105386.7Application Date: 2015-03-11
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Publication No.: CN104918400APublication Date: 2015-09-16
- Inventor: 奥西直彦 , 永岛望
- Applicant: 东京毅力科创株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 东京毅力科创株式会社
- Current Assignee: 东京毅力科创株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- Agent 龙淳
- Priority: 2014-047963 2014.03.11 JP
- Main IPC: H05H1/46
- IPC: H05H1/46

Abstract:
本发明涉及等离子体处理装置,在利用分布常数线路的多重并联谐振特性截断从处理容器内的高频电极等电部件进入供电线路、信号线等线路上的高频的噪声时,不使对高频噪声的阻抗功能和耐电压特性降低,将谐振频率任意地移位来调整或优化,在滤波器单元中,在两空芯线圈(104(1)、104(2))的各绕组空隙插入梳齿部件(114)的梳齿(M),例如,在线圈中央部的有效区间(A)内主要配置具有小于标准厚度(ms)的厚度(m-)的第一梳齿(M-),在其两侧和两端部的非有效区间(B)内配置具有与标准厚度(ms)相等或比其大的厚度(m+)的第二梳齿(M+)。
Public/Granted literature
- CN104918400B 等离子体处理装置 Public/Granted day:2017-05-10
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