一种用于高能离子注入的复合掩膜

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专利标题： 一种用于高能离子注入的复合掩膜
专利标题（英）： Composite mask for high energy ion implantation
申请号： CN201510295752.X

申请日： 2015-06-02
公开(公告)号： CN104867837A

公开(公告)日： 2015-08-26
发明人: 施长治 , 林春
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
申请人地址： 上海市虹口区玉田路500号
专利权人： 中国科学院上海技术物理研究所
当前专利权人： 中国科学院上海技术物理研究所
当前专利权人地址： 上海市虹口区玉田路500号
代理机构： 上海新天专利代理有限公司
代理商 郭英
主分类号： H01L21/426
IPC分类号： H01L21/426 ; H01L21/36 ; H01L21/027 ; H01L21/475 ; H01L21/471

摘要：

本发明公开了一种用于高能离子注入的复合掩膜。本发明中的掩膜为一种具有三层结构的复合光致抗蚀剂掩膜，该掩膜将光致抗蚀剂掩膜图形制作在注入阻挡层介质膜与表层牺牲介质膜之间，用作高能离子注入掩膜。本发明的复合掩膜可避免光致抗蚀剂掩膜在高能离子轰击下的皲裂变性问题，且掩膜去除无残留，保证芯片表面洁净度，提高器件性能。

摘要（英）：

The invention discloses a composite mask for high energy ion implantation. The mask of the invention is a composite photoresist mask in a three-layer structure. A photoresist mask pattern is made between an implantation barrier layer dielectric film and a surface sacrifice dielectric film to serve as a high energy ion implantation mask. According to the composite mask of the invention, the problem of chapped degeneration of the photoresist mask under high energy ion bombardment can be solved, the mask can be removed without residual, cleanness of the chip surface can be ensured, and device performance is improved.

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/42	....用辐射轰击的
H01L21/423	.....带有高能辐射的
H01L21/425	......产生离子注入的
H01L21/426	.......应用掩膜的