- 专利标题: 对金刚石表面镀Mo及金刚石/Cu复合材料的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method for Mo plated on diamond surface and diamond/Cu composite material
-
申请号: CN201510037123.7申请日: 2015-01-26
-
公开(公告)号: CN104674208A公开(公告)日: 2015-06-03
- 发明人: 杨滨 , 赵妍冰 , 张洋 , 王西涛
- 申请人: 北京科技大学
- 申请人地址: 北京市海淀区学院路30号
- 专利权人: 北京科技大学
- 当前专利权人: 北京科技大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区学院路30号
- 代理机构: 北京市广友专利事务所有限责任公司
- 代理商 张仲波
- 主分类号: C23C24/00
- IPC分类号: C23C24/00 ; C22C1/05 ; C22C26/00
摘要:
一种对金刚石表面镀Mo及金刚石/Cu复合材料的制备方法,属于金属基复合材料和电子封装材料领域。其特征是将金刚石:MoO3=1:2~1:4(wt%)混合均匀,将其装于氧化铝坩埚中,分别置于通有氢气、氩气气氛的管式炉中加热。加热温度为900~1050℃,保温时间2~4h,完成镀钼过程。样品随炉冷却取出后,对金刚石颗粒进行超声波清洗并烘干。按镀钼后的金刚石:Cu=60:40~40:60(体积%)配比称量置于行星球磨机中混合均匀。球磨机转速为300r/min,球磨时间为120min。最后,将球磨后的混合物置于石墨模具中,采用放电等离子烧结法制备金刚石/铜复合材料,烧结完成即得到高导热率的金刚石/Cu电子封装复合材料。本发明制备的电子封装复合材料热导率高,可重复性强。
公开/授权文献
- CN104674208B 对金刚石表面镀Mo及金刚石/Cu复合材料的制备方法 公开/授权日:2018-01-16
IPC分类: