本发明公开的用于ZnO单晶物理参数的无损检测方法主要是基于点缺陷弱束缚电子跳跃电导的介电弛豫效应：高频下弱束缚电子的输运仅限于晶胞内，主要表现为介电弛豫；低频下弱束缚电子的输运可跨越耗尽层，甚至整个晶粒，主要表现为电导过程，此时介电弛豫效应将达到饱和；根据介电常数发生改变的拐点所对应的频率就能推算耗尽层、晶粒的几何尺寸；测试过程主要以介电谱为主表征耗尽层厚度和晶粒尺寸，同时通过模量谱对低频电导和高频弛豫信息进行确诊，并通过阻抗谱获得非均匀各部分的阻抗参数。本发明用于ZnO单晶物理参数的无损检测方法具有操作简便、无损及误差小的优点。