本发明提供一种具有载流电子存储层的IGBT的制造方法，其包括：提供具有第一表面和第二表面的衬底；在所述衬底的第一表面形成第一凹槽；在所述第一凹槽上外延形成导电类型与衬底相同的第一外延层，所述第一外延层填满第一凹槽；研磨所述第一外延层直到露出所述衬底的第一表面；在研磨后的第一外延层的上表面形成深度和宽度小于所述第一凹槽的深度和宽度的第二凹槽以剩余一部分第一外延层，剩余的第一外延层作为载流电子存储层；在所述第二凹槽上外延形成导电类型与衬底相同的第二外延层，所述第二外延层填满第二凹槽；研磨所述第二外延层直到露出所述衬底的第一表面。该方法能避免由于CS拐角处浓度问题导致器件击穿电压偏低的问题。