发明授权
CN104610931B 一种制备高导石墨薄膜材料的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种制备高导石墨薄膜材料的方法
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申请号: CN201510092304.X申请日: 2015-03-02
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公开(公告)号: CN104610931B公开(公告)日: 2017-08-01
- 发明人: 杨云胜 , 杨星 , 郭颢 , 蒋伟良
- 申请人: 镇江博昊科技有限公司
- 申请人地址: 江苏省镇江市新区丁卯经十五路99号科技园E52栋
- 专利权人: 镇江博昊科技有限公司
- 当前专利权人: 镇江博昊科技有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省镇江市新区丁卯经十五路99号科技园E52栋
- 主分类号: C09K5/14
- IPC分类号: C09K5/14
摘要:
一种制备高导石墨薄膜材料的方法,以质量百分比计,其特征在于:由以下成分组成:(i)主体成分是石墨薄膜:占97‑99.9999%;(ii)钌元素:占0.0001%‑3%。将含有苯环或含氮的杂环或含氧的杂环或含硫的杂环的高分子薄膜在含有钌元素成分的环境中经高温处理获得。本发明,其热导率在500‑2400W/mk;电导率大于105S/m。在半导体照明、平板显示器、笔记本电脑以及智能手机等电子设备(散热)和加热元器件(导热)领域有着广泛的应用。
公开/授权文献
- CN104610931A 一种制备高导石墨薄膜材料的方法 公开/授权日:2015-05-13