Invention Grant
- Patent Title: 保护元件
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Application No.: CN201380045059.6Application Date: 2013-08-30
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Publication No.: CN104603903BPublication Date: 2018-02-16
- Inventor: 田中新 , 薄井久 , 野村圭一郎
- Applicant: 力特电子(日本)有限责任公司
- Applicant Address: 日本国东京都
- Assignee: 力特电子(日本)有限责任公司
- Current Assignee: 力特电子(日本)有限责任公司
- Current Assignee Address: 日本国东京都
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 薛凯
- Priority: 2012-192162 2012.08.31 JP
- International Application: PCT/JP2013/073268 2013.08.30
- International Announcement: WO2014/034835 JA 2014.03.06
- Date entered country: 2015-02-27
- Main IPC: H01H85/02
- IPC: H01H85/02 ; H01H85/06 ; H01H85/08 ; H01H85/11 ; H01M2/34

Abstract:
本发明提供一种保护元件,具备:由PTC组成物形成、具有至少1个贯通开口部的PTC层状要素;位于层状要素的各主表面上的导电性金属薄层;以及位于规定该贯通开口部的至少1个的侧面上、将各主表面上的导电性金属薄层电连接的熔断器层。本发明的保护元件在能流过更大的电流的同时能提供针对过剩电流的保护。
Public/Granted literature
- CN104603903A 保护元件 Public/Granted day:2015-05-06
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