本发明公开了一种沟槽型双层栅的制造方法，包括步骤：在半导体外延层上形成沟槽；淀积衬垫氧化膜；淀积一层氮化膜；采用淀积加回刻工艺在沟槽底部填充第一层多晶硅；对氮化膜进行回刻将衬垫氧化膜的顶部表面露出；对衬垫氧化膜进行湿法腐蚀将沟槽侧面需要形成栅氧的区域露出；对氮化膜进行腐蚀到低于第一层多晶硅的顶部表面并形成一凹陷区；进行热氧化在沟槽侧面形成栅氧以及对第一层多晶硅的顶部热氧化形成第一氧化层；采用淀积加回刻工艺形成填充沟槽顶部的第二层多晶硅。本发明能避免在双层多晶硅之间形成尖角结构。