本发明提供了一种碳化硅外延材料。所述碳化硅外延材料包括：N+碳化硅单晶衬底层，位于衬底下面的P+支撑层和位于衬底表面的N‑漂移层，其制备方法包括以下步骤：1、N+型衬底的准备；2、对N+型衬底的背面化学机械抛光；3、在背面进行P+支撑层的生长；4、N+型衬底正面的减薄；5、正面化学机械抛光；6、在正面进行N‑型漂移层的生长。相对于传统碳化硅外延材料而言，采用本发明提供的外延材料P+支撑层电阻率低并且均匀性高，满足高压器件的需求。同时，该外延材料缺陷少，制作方法简单，工艺重复性好，适合工业化生产。