发明授权
CN104445098B 一种AgInSe2纳米晶及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种AgInSe2纳米晶及其制备方法
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申请号: CN201410783849.0申请日: 2014-12-16
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公开(公告)号: CN104445098B公开(公告)日: 2016-06-22
- 发明人: 刘忠平 , 邓建国 , 纪兰香 , 白小峰 , 马春彦 , 杨雪梅
- 申请人: 中国工程物理研究院化工材料研究所
- 申请人地址: 四川省绵阳市科创园区园艺街20号
- 专利权人: 中国工程物理研究院化工材料研究所
- 当前专利权人: 中国工程物理研究院化工材料研究所
- 当前专利权人地址: 四川省绵阳市科创园区园艺街20号
- 代理机构: 四川省成都市天策商标专利事务所
- 代理商 刘兴亮
- 主分类号: C01B19/00
- IPC分类号: C01B19/00 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要:
本发明公开了一种AgInSe2纳米晶及其制备方法,通过将硝酸银、氯化铟和/或四水合氯化铟、二氧化硒、聚乙烯吡咯烷酮及二甲基甲酰胺混合并搅拌均匀后得到的前驱体溶液进行高压釜中的160~220℃下恒温反应3~20小时的方法制备得到AgInSe2纳米晶,该AgInSe2纳米晶是空间群为Pna21的亚稳态正交晶系,可溶于水。本发明的制备方法使用的原料简单便宜,过程简捷,合成周期短,重复性好,而且环保,由此制备得到的AgInSe2纳米晶可较好地分散于水相中,在生物医学及水相光催化等领域中具有应用优势。
公开/授权文献
- CN104445098A 一种AgInSe2纳米晶及其制备方法 公开/授权日:2015-03-25