发明公开
CN104311101A 一种氮化硅、碳化硅结合硼化钽泡沫陶瓷的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种氮化硅、碳化硅结合硼化钽泡沫陶瓷的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of silicon nitride and silicon carbide combined tantalum boride foamed ceramic
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申请号: CN201410563061.9申请日: 2014-10-22
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公开(公告)号: CN104311101A公开(公告)日: 2015-01-28
- 发明人: 唐竹兴
- 申请人: 山东理工大学
- 申请人地址: 山东省淄博市高新技术开发区高创园D座1012室
- 专利权人: 山东理工大学
- 当前专利权人: 山东理工大学
- 当前专利权人地址: 山东省淄博市高新技术开发区高创园D座1012室
- 主分类号: C04B38/00
- IPC分类号: C04B38/00 ; C04B35/58 ; C04B35/565 ; C04B35/584 ; C04B35/622
摘要:
一种氮化硅、碳化硅结合硼化钽泡沫陶瓷的制备方法,其特征在于:将TaB2、硅微粉、酚醛树脂外加羟丙基甲基纤维素溶液均匀混合制成陶瓷浆料,然后将陶瓷浆料浸渍在聚氨酯泡沫上,干燥后在氮气气氛中烧制成氮化硅、碳化硅结合硼化钽泡沫陶瓷。本发明制备的氮化硅、碳化硅结合硼化钽泡沫陶瓷显微结构均匀,强度高,孔大小均匀,避免炭和游离硅的残留,使其强度、耐高温、抗热冲击性能得到大幅度提高。
公开/授权文献
- CN104311101B 一种氮化硅、碳化硅结合硼化钽泡沫陶瓷的制备方法 公开/授权日:2016-02-24