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发明授权
CN104303315B 包括能独立控制的吸收区电场和倍增区电场的器件 有权 转让

包括能独立控制的吸收区电场和倍增区电场的器件
摘要：
一种器件包括第一区、倍增区、第二区和吸收区。第一区与第一端子关联，并且第二区与第二端子关联。第一区通过倍增区与第二区间隔开。吸收区被设置在倍增区上并与第三端子关联。基于第一端子、第二端子和第三端子，倍增区电场相对于吸收区电场能独立控制。
摘要（英）：

A device includes a first region, a multiplication region, a second region, and an absorption region. The first region is associated with a first terminal, and the second region is associated with a second terminal. The first region is separated from the second region by the multiplication region. The absorption region is disposed on the multiplication region and associated with a third terminal. A multiplication region electric field is independently controllable with respect to an absorption region electric field, based on the first terminal, the second terminal, and the third terminal.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/86 ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/861 ...二极管
H01L29/868 ....PIN二极管
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