发明授权
- 专利标题: 半导体装置
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申请号: CN201380019990.7申请日: 2013-10-07
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公开(公告)号: CN104247010B公开(公告)日: 2017-06-20
- 发明人: 安达新一郎
- 申请人: 富士电机株式会社
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 富士电机株式会社
- 当前专利权人: 富士电机株式会社
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇
- 优先权: 2012-238284 20121029 JP
- 国际申请: PCT/JP2013/077235 2013.10.07
- 国际公布: WO2014/069174 JA 2014.05.08
- 进入国家日期: 2014-10-14
- 主分类号: H01L23/473
- IPC分类号: H01L23/473 ; H05K7/20
摘要:
半导体装置(1)具备绝缘基板(14)、半导体元件(12、13)以及冷却器(20)。冷却器(20)具备散热基板(21)、散热片(22)以及冷却盒(23),该冷却盒(23)收容散热片(22),呈具有底壁(23a)和侧壁(23b)的箱型形状。在冷却盒(23)的侧壁(23b)中的、沿着散热片(22)的集合体的长边方向设置的一对侧壁上,对角线状地设有冷却液的导入口(23c)和排出口(23d),并且在冷却盒(23)内部设有朝向导入口(23c)的扩散壁(23g)。
公开/授权文献
- CN104247010A 半导体装置 公开/授权日:2014-12-24
IPC分类: