发明授权
- 专利标题: 可再构成的半导体装置
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申请号: CN201380016484.2申请日: 2013-02-14
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公开(公告)号: CN104205639B公开(公告)日: 2019-07-23
- 发明人: 佐藤正幸 , 佐藤幸志
- 申请人: 太阳诱电株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 太阳诱电株式会社
- 当前专利权人: 太阳诱电株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 路勇
- 优先权: 2012-090623 2012.04.11 JP
- 国际申请: PCT/JP2013/053452 2013.02.14
- 国际公布: WO2013/153851 JA 2013.10.17
- 进入国家日期: 2014-09-25
- 主分类号: H03K19/177
- IPC分类号: H03K19/177
摘要:
本发明提供一种可再构成的半导体装置。本发明提供一种半导体装置,包括配置成阵列状的多个电路单元,所述各电路单元包括模拟数字转换器、数字模拟转换器、及运算放大器,由所述电路单元的模拟数字转换器、数字模拟转换器及运算放大器对作为再构成对象的模拟电路分割为多个功能模块,并对功能模块进行电路构成,且将该电路构成的多个电路单元中的任一个互相以模拟开关连接,由此构成所述再构成对象的模拟电路。
公开/授权文献
- CN104205639A 可再构成的半导体装置 公开/授权日:2014-12-10
IPC分类: