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发明授权
CN104102057B 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 有权

薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
摘要：
本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。该薄膜晶体管阵列面板包括绝缘衬底；在绝缘衬底上的栅线和数据线；在栅线和数据线上的第一钝化层；在第一钝化层上的有机层；在有机层上的第一电极；在第一电极上的第二钝化层；以及在第二钝化层上的第二电极。有机层的边缘被第一电极暴露。
摘要（英）：

A thin film transistor array panel includes an insulation substrate (110); a gate line (121) and a data line (171) on the insulation substrate (110); a first passivation layer (180x) on the gate line (121) and the data line (171); an organic layer (80) on the first passivation layer (180x); a first electrode (131) on the organic layer (80); a second passivation layer (180y) on the first electrode (131); and a second electrode (191) on the second passivation layer (180y). An edge of the organic layer (80) is exposed by the first electrode (131)..

公开/授权文献
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